第一百三十二章 提前截胡台积电（4K）(2 / 6)

你刚刚说的还差了两点。

一点是arf光源的波长更容易被光刻胶吸收，这会导致光刻胶的曝光不均匀，进而影响成像质量。所以需要专门针对arf光源设计专门的光刻胶。

但是专门针对arf光源设计光刻胶，来减少吸收呢，新光刻胶又很有可能会进一步造成线边波动和不规则性。

另外采用arf来构建先进制程，会采用多重曝光技术、相位移光掩膜技术和偏振光技术等。

这些技术一定程度上又会增加线边波动和不规则性。

所以造成线边波动的原因比你猜测的更多。”

周新问：“可是有这么多困难，为什么前辈你还是看好arf路线？”

周新怎么知道林本坚看好arf技术路线，因为林本坚这次在参加光学大会接受采访的时候自己说的。

“是帮光刻机公司打掩护吗？”

林本坚笑了：“我已经从ib离职了，ib这几年也几乎没有在光刻机领域继续投入了。

我又没有为尼康或者佳能工作，为什么要帮他们打掩护。

我当然是从我内心出发更加看好arf技术路线。

我们刚刚说的是arf的缺点，这些缺点只是暂时的。

在krf光源代替g线和i线的过程中，同样有很多困难。”

g线是436n波长的光源，i线是365n波长的光源。

“相对于g线和i线，krf需要新的光刻胶和抗反射涂层材料来适应krf光源的特性。

同时krf要求更高性能的光学系统和光掩膜材料。当时需要采用更先进的透镜和光学元件，以实现更高的数值孔径和分辨率。

此外，光掩膜材料也需要具有更低的散射和吸收特性。

krf还需要优化曝光过程，以提高成像质量。我们当时主要采用了双重曝光和离焦曝光技术来降低光刻误差。

让我想想，对了，我们当时在研发krf光源的时候还要对控制进行考虑，因为krf实现了更高的分辨率，所以需要更严格的制程控制要求。

需要对光刻胶涂覆厚度、曝光剂量、显影过程等参数进行更精确的控制，以保证光刻成像质量和产量。

这么多困难，我们照样克服了，最终krf光源代替了g线和i线，成为了今天的最先进的制程光源。

同样未来短波长的光源势必然会代替长波长的光源，这是技术进步的必然。